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IRL3705NSTRLPBF  与  STB55NF06T4  区别

型号 IRL3705NSTRLPBF STB55NF06T4
唯样编号 A-IRL3705NSTRLPBF A3-STB55NF06T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 98 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@46A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),170W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 89A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥4.202 

阶梯数 价格
20: ¥4.202
100: ¥3.366
485 对比
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 149W 175°C 3V 60V 92A

暂无价格 0 对比
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
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SOT404 N-Channel 149W 175°C 3V 60V 92A

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