IRL2910STRRPBF 与 AOB414 区别
| 型号 | IRL2910STRRPBF | AOB414 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRL2910STRRPBF | A-AOB414 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 55 |
| ESD Diode | - | No |
| Qgd(nC) | - | 10 |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5V | - |
| 栅极电压Vgs | - | 25V |
| Td(on)(ns) | - | 12 |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263 |
| 连续漏极电流Id | 55A(Tc) | 51A |
| Ciss(pF) | - | 1770 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3700pF | - |
| 导通电阻Rds(On) | 26mΩ@29A,10V | 25mΩ@10V |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 20 |
| Td(off)(ns) | - | 17 |
| 功率耗散Pd | - | 150W |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Qrr(nC) | - | 82 |
| VGS(th) | - | 4 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 140nC | - |
| Coss(pF) | - | 165 |
| Qg*(nC) | - | 28* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL2910STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 55A(Tc) 26mΩ@29A,10V D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
|
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STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AOB414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 25V 51A 150W 25mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN034-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 34.5mΩ@10V 86W 175°C 3V 100V 32A |
￥4.8395
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
BUK9628-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 28mΩ@5V,27mΩ@10V,31mΩ@4.5V 166W 175°C 1.5V 100V 49A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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