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IRL2910STRLPBF  与  PSMN034-100BS,118  区别

型号 IRL2910STRLPBF PSMN034-100BS,118
唯样编号 A-IRL2910STRLPBF A-PSMN034-100BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.8 W 140 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 3.8W(Ta),200W(Tc) 86W
漏源极电压Vds 100V 100V
输出电容 - 94pF
栅极电压Vgs ±16V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 55A 32A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3700pF @ 25V -
输入电容 - 1201pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3700pF @ 25V -
导通电阻Rds(On) 26mΩ@29A,10V 34.5mΩ@10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
800+ :  ¥7.7297
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL2910STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26mΩ@29A,10V N-Channel 100V 55A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN027-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 26.8mΩ@10V 103W 175°C 3V 100V 37A

暂无价格 0 对比
BUK7626-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 26mΩ@10V 157W 175°C 3V 100V 49A

暂无价格 0 对比
BUK9629-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 29mΩ@5V,27mΩ@10V,32mΩ@4.5V 157W 175°C 1.5V 100V 46A

¥9.8515 

阶梯数 价格
800: ¥9.8515
0 对比
PHB45NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 25mΩ@10V 150W 175°C 3V 100V 47A

¥6.8223 

阶梯数 价格
800: ¥6.8223
1,600: ¥6.5494
0 对比
PSMN034-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 34.5mΩ@10V 86W 175°C 3V 100V 32A

¥7.7297 

阶梯数 价格
800: ¥7.7297
0 对比

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