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IRL2910STRLPBF  与  IPB47N10S-33  区别

型号 IRL2910STRLPBF IPB47N10S-33
唯样编号 A-IRL2910STRLPBF A-IPB47N10S-33
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.8 W 140 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@29A,10V 33mΩ
上升时间 - 23ns
栅极电压Vgs ±16V 20V
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 55A 47A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
下降时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3700pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 175W
典型关闭延迟时间 - 63ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
典型接通延迟时间 - 25ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL2910STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26mΩ@29A,10V N-Channel 100V 55A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IPB47N10S-33 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10S33ATMA1_100V 47A 33mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
BUK9628-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9628-100A_SOT404 N-Channel 166W 175℃ 1.5V 100V 49A

¥15.8541 

阶梯数 价格
180: ¥15.8541
400: ¥12.386
800: ¥10.1525
0 对比
IPB47N10SL-26 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10SL26ATMA1_100V 47A 26mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
BUK9629-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9629-100B_SOT404 N-Channel 157W 175℃ 1.5V 100V 46A

¥6.7481 

阶梯数 价格
210: ¥6.7481
400: ¥5.7187
800: ¥5.2465
0 对比
PSMN027-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN027-100BS_SOT404 N-Channel 103W 175℃ 3V 100V 37A

¥7.8792 

阶梯数 价格
170: ¥7.8792
400: ¥6.1079
800: ¥4.8647
0 对比

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