IRL2910SPBF 与 SUM60N10-17-E3 区别
| 型号 | IRL2910SPBF | SUM60N10-17-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRL2910SPBF | A3t-SUM60N10-17-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | Single N-Channel 100 V 16.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-263 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 9.65mm | - |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 1V | - |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263AB |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 55A | 60A(Tc) |
| 长度 | 10.67mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3700pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 26mΩ | 16.5 mOhms @ 30A,10V |
| 高度 | 4.83mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 49 ns | - |
| 功率耗散Pd | 3.8W | 3.75W(Ta),150W(Tc) |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | HEXFET | - |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 140nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL2910SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 55A 26mΩ 3.8W D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SUM60N10-17-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 16.5 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM60N10-17-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 16.5 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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