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IRL2505STRLPBF  与  IPB45N06S4L08ATMA1  区别

型号 IRL2505STRLPBF IPB45N06S4L08ATMA1
唯样编号 A-IRL2505STRLPBF A-IPB45N06S4L08ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@54A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4780pF @ 25V
栅极电压Vgs ±16V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 104A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 64nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.9 毫欧 @ 45A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 35uA
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 45A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL2505STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

10.4mm D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7610-55AL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-55AL_SOT404

¥17.5299 

阶梯数 价格
190: ¥17.5299
400: ¥13.4845
800: ¥11.9332
0 对比
AOB470L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥4.7563 

阶梯数 价格
170: ¥4.7563
400: ¥3.7197
800: ¥2.9014
0 对比
BUK9612-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9612-55B_SOT404

¥7.2797 

阶梯数 价格
210: ¥7.2797
400: ¥6.1692
800: ¥5.6598
0 对比
IPB45N06S4L08ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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