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IRL2505STRLPBF  与  AOB470L  区别

型号 IRL2505STRLPBF AOB470L
唯样编号 A-IRL2505STRLPBF A-AOB470L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 180
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@54A,10V 10.2mΩ@30A,10V
Qgd(nC) - 18
栅极电压Vgs ±16V ±25V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 D2PAK TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 104A 100A
Ciss(pF) - 4700
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
Trr(ns) - 53
Td(off)(ns) - 70
漏源极电压Vds 55V 75V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 268W
Qrr(nC) - 143
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 5V -
Coss(pF) - 400
Qg*(nC) - 114*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥4.7563
400+ :  ¥3.7197
800+ :  ¥2.9014
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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D2PAK

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¥17.5299 

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190: ¥17.5299
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¥4.7563 

阶梯数 价格
170: ¥4.7563
400: ¥3.7197
800: ¥2.9014
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210: ¥7.2797
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