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IRL2505PBF  与  IPP084N06L3GXKSA1  区别

型号 IRL2505PBF IPP084N06L3GXKSA1
唯样编号 A-IRL2505PBF A-IPP084N06L3GXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@54A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4900pF @ 30V
栅极电压Vgs ±16V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 104A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 34uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL2505PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@54A,10V N-Channel 55V 104A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 24,000 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥7.59 

阶梯数 价格
7: ¥7.59
70 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP093N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP093N06N3GXKSA1_60V 50A 9mΩ 20V 71W -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPP084N06L3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP084N06L3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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