首页 > 商品目录 > > > > IRL1404ZSTRLPBF代替型号比较

IRL1404ZSTRLPBF  与  STB100NF04T4  区别

型号 IRL1404ZSTRLPBF STB100NF04T4
唯样编号 A-IRL1404ZSTRLPBF A3-STB100NF04T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 230 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 200A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5080pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5080pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL1404ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.1mΩ@75A,10V N-Channel 40V 200A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK963R1-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R1-40E_SOT404 N-Channel 234W 175℃ 1.7V 40V 100A

¥12.9791 

阶梯数 价格
200: ¥12.9791
400: ¥10.6386
800: ¥9.251
0 对比
BUK963R1-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R1-40E_SOT404 N-Channel 234W 175℃ 1.7V 40V 100A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售