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IRL1404STRLPBF  与  PSMN4R5-40BS,118  区别

型号 IRL1404STRLPBF PSMN4R5-40BS,118
唯样编号 A-IRL1404STRLPBF A-PSMN4R5-40BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 3.8 W 140 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-262-3 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@95A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 148W
输出电容 - 660pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 160A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6600pF @ 25V -
输入电容 - 2683pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.3V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6600pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥6.7395
400+ :  ¥5.7114
800+ :  ¥5.2398
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL1404STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

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1: ¥19.0073
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阶梯数 价格
210: ¥6.7395
400: ¥5.7114
800: ¥5.2398
0 对比
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