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IRL1404STRLPBF  与  IPB100N04S204ATMA1  区别

型号 IRL1404STRLPBF IPB100N04S204ATMA1
唯样编号 A-IRL1404STRLPBF A-IPB100N04S204ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 3.8 W 140 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-262-3 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@95A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5300pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 160A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 172nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.3 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.3V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6600pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL1404STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK763R6-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R6-40C_SOT404

¥19.0073 

阶梯数 价格
1: ¥19.0073
100: ¥14.0795
400: ¥10.8304
800: ¥9.5844
350 对比
PSMN4R5-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R5-40BS_SOT404

¥6.7395 

阶梯数 价格
210: ¥6.7395
400: ¥5.7114
800: ¥5.2398
0 对比
BUK9604-40A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9604-40A_SOT404

¥25.2424 

阶梯数 价格
180: ¥25.2424
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0 对比
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BUK965R4-40E_SOT404

¥14.9032 

阶梯数 价格
180: ¥14.9032
400: ¥11.6431
800: ¥9.5435
0 对比
IPB100N04S204ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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