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IRFZ48NSTRLPBF  与  STB75NF75LT4  区别

型号 IRFZ48NSTRLPBF STB75NF75LT4
唯样编号 A-IRFZ48NSTRLPBF A3-STB75NF75LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@32A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),130W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 64A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1970pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1970pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 5,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ48NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@32A,10V N-Channel 55V 64A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 0 对比
IPB50N10S3L-16 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50N10S3L16ATMA1_100V 50A 15.4mΩ 20V 100W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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