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IRFZ48NSTRLPBF  与  IPB50N10S3L-16  区别

型号 IRFZ48NSTRLPBF IPB50N10S3L-16
唯样编号 A-IRFZ48NSTRLPBF A-IPB50N10S3L-16
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@32A,10V 15.4mΩ
Qg-栅极电荷 - 64nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 64A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1970pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 55V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),130W(Tc) 100W
典型关闭延迟时间 - 28ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS-T
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1970pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ48NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@32A,10V N-Channel 55V 64A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

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IPB50N10S3L-16 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50N10S3L16ATMA1_100V 50A 15.4mΩ 20V 100W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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