IRFZ46NSTRLPBF 与 PSMN015-60BS,118 区别
| 型号 | IRFZ46NSTRLPBF | PSMN015-60BS,118 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFZ46NSTRLPBF | A-PSMN015-60BS,118 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 55 V 3.8 W 72 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 3.8W(Ta),107W(Tc) | 86W | ||
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V | ||
| 输出电容 | - | 169pF | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | D2PAK | SOT404 | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C | ||
| 连续漏极电流Id | 53A | 50A | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1696pF @ 25V | - | ||
| 输入电容 | - | 1220pF | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 72nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1696pF @ 25V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 16.5mΩ@28A,10V | 14.8mΩ@10V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 72nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRFZ46NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 16.5mΩ@28A,10V N-Channel 55V 53A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STB55NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||
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STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
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STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
￥7.7178
|
949 | 对比 | ||||||
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PSMN015-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 14.8mΩ@10V 86W 175°C 3V 60V 50A |
￥7.7297
|
0 | 对比 | ||||||
|
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BUK7620-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 20mΩ@10V 118W 175°C 3V 55V 54A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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