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IRFZ46NSTRLPBF  与  IPB50N10S3L16ATMA1  区别

型号 IRFZ46NSTRLPBF IPB50N10S3L16ATMA1
唯样编号 A-IRFZ46NSTRLPBF A-IPB50N10S3L16ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 72 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.5mΩ@28A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4180pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 53A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 64nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 15.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1696pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),107W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 60uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1696pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ46NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 16.5mΩ@28A,10V N-Channel 55V 53A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥4.576 

阶梯数 价格
20: ¥4.576
100: ¥3.652
1,000: ¥3.509
1,000 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.777 

阶梯数 价格
7: ¥7.777
100: ¥6.6
990 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50N10S3L-16_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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