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IRFZ46NLPBF  与  AOWF2606  区别

型号 IRFZ46NLPBF AOWF2606
唯样编号 A-IRFZ46NLPBF A-AOWF2606
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 72 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.5mΩ@28A,10V 6.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),107W(Tc) 2.1W(Ta),33.3W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-262 TO-262F
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 53A 13A(Ta),51A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1696pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 75nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1696pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ46NLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 16.5mΩ@28A,10V N-Channel 55V 53A TO-262

暂无价格 0 当前型号
AOWF2606 AOS  数据手册 功率MOSFET

13A(Ta),51A(Tc) N-Channel ±20V 6.5 mΩ @ 20A,10V TO-262F 2.1W(Ta),33.3W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
IRFZ46NL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 53A(Tc) ±20V 3.8W(Ta),107W(Tc) 16.5mΩ@28A,10V -55°C~175°C(TJ) TO262

暂无价格 0 对比

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