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IRFZ44ZSTRRPBF  与  BUK7613-75B,118  区别

型号 IRFZ44ZSTRRPBF BUK7613-75B,118
唯样编号 A-IRFZ44ZSTRRPBF A-BUK7613-75B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 80 W 43 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.9mΩ@31A,10V -
漏源极电压Vds 55V 75V
Pd-功率耗散(Max) 80W(Tc) 157W
输出电容 - 322pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 51A 75A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 25V -
输入电容 - 1983pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 13mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ44ZSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 80W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@31A,10V N-Channel 55V 51A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
20: ¥4.202
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