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IRFZ44VPBF  与  AOT462L  区别

型号 IRFZ44VPBF AOT462L
唯样编号 A-IRFZ44VPBF A-AOT462L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.5mΩ 18 mΩ @ 30A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 115W 2.1W(Ta),100W(Tc)
Qg-栅极电荷 44.7nC -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 55A 7A(Ta),35A(Tc)
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1812pF @ 25V -
长度 10mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 67nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 36nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1812pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 67nC @ 10V -
高度 15.65mm -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ44VPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 1,000 当前型号
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TO-220-3

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阶梯数 价格
20: ¥4.752
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192 对比
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