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IRFZ44ESTRLPBF  与  SIHLZ44STRR-GE3  区别

型号 IRFZ44ESTRLPBF SIHLZ44STRR-GE3
唯样编号 A-IRFZ44ESTRLPBF A3t-SIHLZ44STRR-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述 N-Channel 60 V 23 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLZ44STRR-GE3, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 150W
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@29A,10V 0.039 0hms
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±20V -10 V、+10 V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 D2PAK D2PAK (TO-263)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 48A 50A
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
最高工作温度 - +175 °C
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1360pF @ 25V -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 42 ns
漏源极电压Vds 60V 3300 pF@ 25 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel 增强
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1360pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 17 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ44ESTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@29A,10V N-Channel 60V 48A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比
SIHLZ44STRR-GE3 Vishay 未分类

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