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IRFZ44ESTRLPBF  与  IPB47N10SL-26  区别

型号 IRFZ44ESTRLPBF IPB47N10SL-26
唯样编号 A-IRFZ44ESTRLPBF A-IPB47N10SL-26
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 23 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@29A,10V 26mΩ
上升时间 - 100ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 48A 47A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 70ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1360pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 100V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 175W
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1360pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ44ESTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@29A,10V N-Channel 60V 48A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥4.576 

阶梯数 价格
20: ¥4.576
100: ¥3.652
1,000: ¥3.509
1,000 对比
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB47N10SL-26 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10SL26ATMA1_100V 47A 26mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50N10S3L-16_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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