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IRFU5410PBF  与  IRFU5410  区别

型号 IRFU5410PBF IRFU5410
唯样编号 A-IRFU5410PBF A-IRFU5410
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 66 W 58 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - I-Pak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 205mΩ@7.8A,10V 205mΩ@7.8A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 66W(Tc) 66W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 IPAK(TO-251) IPAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A 13A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 25V 760pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V 58nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFU5410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 66W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 205mΩ@7.8A,10V P-Channel 100V 13A IPAK(TO-251)

暂无价格 0 当前型号
IRFU5410 Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 100V 13A(Tc) ±20V 66W(Tc) 205mΩ@7.8A,10V -55°C~150°C(TJ) IPAK

暂无价格 0 对比

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