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IRFU5305PBF  与  IRFU5505PBF  区别

型号 IRFU5305PBF IRFU5505PBF
唯样编号 A-IRFU5305PBF A-IRFU5505PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 55 V 57 W 32 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-251AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@16A,10V 110mΩ@9.6A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 57W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 IPAK(TO-251) IPAK(TO-251)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 31A 18A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V 650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V 32nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V 650pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V 32nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFU5305PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@16A,10V P-Channel 55V 31A IPAK(TO-251)

暂无价格 0 当前型号
IRFU5505PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 57W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 110mΩ@9.6A,10V P-Channel 55V 18A IPAK(TO-251)

暂无价格 0 对比

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