首页 > 商品目录 > > > > IRFU4615PBF代替型号比较

IRFU4615PBF  与  IRFU4105ZPBF  区别

型号 IRFU4615PBF IRFU4105ZPBF
唯样编号 A-IRFU4615PBF A-IRFU4105ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 150 V 42 mOhm 26 nC HexFet Power Mosfet Through Hole - IPAK Single N-Channel 55 V 48 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - I-Pak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@21A,10V 24.5mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 150V 55V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) 48W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 IPAK(TO-251) IPAK(TO-251)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 33A 30A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V 740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 27nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V 740pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 27nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFU4615PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A IPAK(TO-251)

暂无价格 0 当前型号
IRFU4105ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 24.5mΩ@18A,10V N-Channel 55V 30A IPAK(TO-251)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售