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IRFU3410PBF  与  IRFU3410  区别

型号 IRFU3410PBF IRFU3410
唯样编号 A-IRFU3410PBF A-IRFU3410
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@18A,10V 39mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 110W 3W(Ta),110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-251AA IPAK
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 31A 31A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFU3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-251AA N-Channel 110W 39mΩ@18A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 31A

暂无价格 3,000 当前型号
IRFU3410 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 31A(Tc) ±20V 3W(Ta),110W(Tc) 39mΩ@18A,10V -55°C~175°C(TJ) IPAK

暂无价格 0 对比

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