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IRFTS9342TRPBF  与  AO6403  区别

型号 IRFTS9342TRPBF AO6403
唯样编号 A-IRFTS9342TRPBF A-AO6403
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 95
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,10V 35mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 58mΩ
Qgd(nC) - 3.2
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 8
封装/外壳 6-TSOP TSOP-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 5.8A -6A
Ciss(pF) - 760
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 15
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2W
Qrr(nC) - 9.7
VGS(th) - -2.4
FET类型 P-Channel P-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC -
Coss(pF) - 140
Qg*(nC) - 6.7
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFTS9342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@5.8A,10V P-Channel 30V 5.8A 6-TSOP

暂无价格 0 当前型号
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

¥1.0604 

阶梯数 价格
50: ¥1.0604
200: ¥0.8151
1,500: ¥0.7095
3,000: ¥0.66
3,640 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

暂无价格 0 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

暂无价格 0 对比
AO6403 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 P-Channel -30V 20V -6A 2W 35mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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