IRFTS9342TRPBF 与 AO6403 区别
| 型号 | IRFTS9342TRPBF | AO6403 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFTS9342TRPBF | A-AO6403 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 95 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@5.8A,10V | 35mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 58mΩ |
| Qgd(nC) | - | 3.2 |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 8 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP | TSOP-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 5.8A | -6A |
| Ciss(pF) | - | 760 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 595pF | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 15 |
| Td(off)(ns) | - | 17 |
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 2W |
| Qrr(nC) | - | 9.7 |
| VGS(th) | - | -2.4 |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 595pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC | - |
| Coss(pF) | - | 140 |
| Qg*(nC) | - | 6.7 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFTS9342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@5.8A,10V P-Channel 30V 5.8A 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
RSQ035P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AO6403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V 20V -6A 2W 35mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 5.1A(Tc) ±20V 2W(Ta),3W(Tc) 74mΩ@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 30V 5.1A 74mΩ 3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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