首页 > 商品目录 > > > > IRFSL4127PBF代替型号比较

IRFSL4127PBF  与  IRFSL38N20DPBF  区别

型号 IRFSL4127PBF IRFSL38N20DPBF
唯样编号 A-IRFSL4127PBF A-IRFSL38N20DPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO262 TO262
连续漏极电流Id 72A(Tc) 43A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@44A,10V 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 50V 2900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V 91nC @ 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFSL4127PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 72A(Tc) 375W(Tc) 22mΩ@44A,10V -55°C~175°C(TJ) TO262

暂无价格 0 当前型号
IRFSL38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 43A(Tc) 54mΩ@26A,10V TO262

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售