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IRFSL3306PBF  与  PSMN2R0-60ES,127  区别

型号 IRFSL3306PBF PSMN2R0-60ES,127
唯样编号 A-IRFSL3306PBF A-PSMN2R0-60ES,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 15.01mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ -
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs - 3V
封装/外壳 - SOT226
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 160A 120A
长度 10.67mm -
输入电容 - 9997pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF -
高度 4.83mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 40 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) 230W 338W
晶体管配置 -
输出电容 - 1210pF
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2.2mΩ@10V
典型接通延迟时间 15 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFSL3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 160A 4.2mΩ 230W

暂无价格 0 当前型号
IRF3205ZLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A TO-262

暂无价格 0 对比
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-60ES_SOT226 N-Channel 338W 175℃ 3V 60V 120A

暂无价格 0 对比
IRFSL7540PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 110A 5.4mΩ 160W

暂无价格 0 对比

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