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IRFSL3306PBF  与  IRFSL7540PBF  区别

型号 IRFSL3306PBF IRFSL7540PBF
唯样编号 A-IRFSL3306PBF A-IRFSL7540PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 15.01mm 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ 5.4mΩ
引脚数目 3 3
最小栅阈值电压 2V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 160A 110A
长度 10.67mm 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
每片芯片元件数目 1 Ohms 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.2V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 3.7V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF 4555pF @ 25V
高度 4.83mm 9.65mm
类别 功率 MOSFET 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 40 ns 58 ns
晶体管材料 Si Si
Pd-功率耗散(Max) 230W 160W
晶体管配置
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET HEXFET
典型接通延迟时间 15 ns 12 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC 130nC @ 10V
正向跨导 - 110S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFSL3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 160A 4.2mΩ 230W

暂无价格 0 当前型号
IRF3205ZLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A TO-262

暂无价格 0 对比
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-60ES_SOT226 N-Channel 338W 175℃ 3V 60V 120A

暂无价格 0 对比
IRFSL7540PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 110A 5.4mΩ 160W

暂无价格 0 对比

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