首页 > 商品目录 > > > > IRFSL3306PBF代替型号比较

IRFSL3306PBF  与  IRF3205ZLPBF  区别

型号 IRFSL3306PBF IRF3205ZLPBF
唯样编号 A-IRFSL3306PBF A-IRF3205ZLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装 Single N-Channel 55 V 170 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 15.01mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ 6.5mΩ@66A,10V
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 - TO-262
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 160A 110A
长度 10.67mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
每片芯片元件数目 1 Ohms -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF 3450pF @ 25V
高度 4.83mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 40 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) 230W 170W(Tc)
晶体管配置 -
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
典型接通延迟时间 15 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFSL3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 160A 4.2mΩ 230W

暂无价格 0 当前型号
IRF3205ZLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A TO-262

暂无价格 0 对比
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-60ES_SOT226 N-Channel 338W 175℃ 3V 60V 120A

暂无价格 0 对比
IRFSL7540PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 110A 5.4mΩ 160W

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售