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IRFS5615TRLPBF  与  SUM40N15-38-E3  区别

型号 IRFS5615TRLPBF SUM40N15-38-E3
唯样编号 A-IRFS5615TRLPBF A3t-SUM40N15-38-E3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 42 mOhm 40 nC Digital Audio Mosfet Surface Mount - D2PAK Single N-Channel 150 V 38 mO 38 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@21A,10V 38 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) 3.75W(Ta),166W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 33A 40A(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS5615TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
SUM40N15-38-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

40A(Tc) N-Channel 38 mOhms @ 15A,10V 3.75W(Ta),166W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 150V

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