首页 > 商品目录 > > > > IRFS52N15DTRLP代替型号比较

IRFS52N15DTRLP  与  IRFS52N15DTRRP  区别

型号 IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRRP
唯样编号 A-IRFS52N15DTRLP A-IRFS52N15DTRRP
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 32mΩ@36A,10V 32mΩ@36A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),230W(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 51A 51A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2770pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 89nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2770pF @ 25V 2770pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 89nC @ 10V 89nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS52N15DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 32mΩ@36A,10V N-Channel 150V 51A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IPB47N10S-33 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10S33ATMA1_100V 47A 33mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB47N10SL-26 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10SL26ATMA1_100V 47A 26mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFS52N15DTRRP Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 51A(Tc) ±30V 3.8W(Ta),230W(Tc) 32mΩ@36A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售