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IRFS4620TRLPBF  与  IRFS23N20DTRLP  区别

型号 IRFS4620TRLPBF IRFS23N20DTRLP
唯样编号 A-IRFS4620TRLPBF A-IRFS23N20DTRLP
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFS4620 Series 200 V 24 A 77.5 mOhm Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3 Single N-Channel 200 V 3.8 W 86 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 77.5mΩ@15A,10V 100mΩ@14A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 24A 24A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V 1960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V 86nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V 1960pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V 86nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4620TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 77.5mΩ@15A,10V N-Channel 200V 24A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PHB33NQ20T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB33NQ20T_SOT404 N-Channel 230W -55°C~175°C ±20V 200V 32.7A

暂无价格 30 对比
IRFS23N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 100mΩ@14A,10V N-Channel 200V 24A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS31N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.1W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 82mΩ@18A,10V N-Channel 200V 31A D2PAK

暂无价格 0 对比
PHB33NQ20T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB33NQ20T_SOT404 N-Channel 230W -55°C~175°C ±20V 200V 32.7A

暂无价格 0 对比

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