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IRFS4615TRLPBF  与  IRFS33N15DTRLP  区别

型号 IRFS4615TRLPBF IRFS33N15DTRLP
唯样编号 A-IRFS4615TRLPBF A-IRFS33N15DTRLP
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFS4615TRLPBF Series 150 V 33 A 42 mOhm HEXFET Power MOSFET - TO-263-3 N-Channel 150 V 33 A 0.056 O 3.8 W 60 nC HexFet Power MosFet - D2Pak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@21A,10V 56mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 33A 33A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V 2020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V 90nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V 2020pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V 90nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4615TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IRFS41N15DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.1W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A D2PAK

暂无价格 0 对比
PHB45NQ15T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB45NQ15T_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 150V 45.1A

暂无价格 0 对比
IPB47N10S-33 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10S33ATMA1_100V 47A 33mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFS33N15DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 56mΩ@20A,10V N-Channel 150V 33A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB47N10SL-26 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10SL26ATMA1_100V 47A 26mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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