IRFS4615TRLPBF 与 IRFS33N15DTRLP 区别
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规格信息
型号	IRFS4615TRLPBF	IRFS33N15DTRLP
唯样编号	A-IRFS4615TRLPBF	A-IRFS33N15DTRLP
制造商	Infineon Technologies	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	IRFS4615TRLPBF Series 150 V 33 A 42 mOhm HEXFET Power MOSFET - TO-263-3	N-Channel 150 V 33 A 0.056 O 3.8 W 60 nC HexFet Power MosFet - D2Pak
数据表	IRFS4615TRLPBF.pdf	IRFS33N15DTRLP.pdf IRFS33N15DTRLP.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	42mΩ@21A,10V	56mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds	150V	150V
Pd-功率耗散(Max)	144W(Tc)	3.8W(Ta),170W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±30V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	D2PAK	D2PAK
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	33A	33A
系列	HEXFET®	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 100µA	5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1750pF @ 50V	2020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	40nC @ 10V	90nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 100µA	5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1750pF @ 50V	2020pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	40nC @ 10V	90nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRFS4615TRLPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D2PAK	暂无价格	当前型号
IRFS41N15DTRLP	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 3.1W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A D2PAK	暂无价格	对比
IPB530N15N3 G	Infineon	数据手册	功率MOSFET	150V 21A 53mΩ 20V 68W N-Channel -55°C~175°C PG-TO263-3	暂无价格	对比
IRFS33N15DTRLP	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 56mΩ@20A,10V N-Channel 150V 33A D2PAK	暂无价格	对比
AOB254L	AOS	数据手册	功率MOSFET	TO-263 N-Channel 150V 20V 32A 125W 46mΩ@10V	暂无价格	对比
IRFS23N15DTRLP	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 3.8W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 90mΩ@14A,10V N-Channel 150V 23A D2PAK	暂无价格	对比