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IRFS4615TRLPBF  与  AOB254L  区别

型号 IRFS4615TRLPBF AOB254L
唯样编号 A-IRFS4615TRLPBF A-AOB254L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFS4615TRLPBF Series 150 V 33 A 42 mOhm HEXFET Power MOSFET - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 4
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@21A,10V 46mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 53mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 9
封装/外壳 D2PAK TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 33A 32A
Ciss(pF) - 2150
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 51
Td(off)(ns) - 29
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) 125W
Qrr(nC) - 434
VGS(th) - 2.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4615TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IRFS41N15DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.1W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB254L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 150V 20V 32A 125W 46mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFS33N15DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 56mΩ@20A,10V N-Channel 150V 33A D2PAK

暂无价格 0 对比
PHB45NQ15T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB45NQ15T_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 150V 45.1A

¥9.3526 

阶梯数 价格
200: ¥9.3526
400: ¥7.6661
800: ¥6.6662
0 对比
IRFS23N15DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 90mΩ@14A,10V N-Channel 150V 23A D2PAK

暂无价格 0 对比

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