IRFS4610TRLPBF 与 STB80NF10T4 区别
| 型号 | IRFS4610TRLPBF | STB80NF10T4 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS4610TRLPBF | A36-STB80NF10T4 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 190W(Tc) | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 73A | - | ||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 50V | - | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 100µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3550pF @ 50V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 140nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 100µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3550pF | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 14mΩ@44A,10V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 140nC | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 883 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFS4610TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 190W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@44A,10V N-Channel 100V 73A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥10.392
|
883 | 对比 | ||||||
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STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPB123N10N3 G | Infineon | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 100V 58A 10.7mΩ 20V 94W N-Channel PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 13.9mΩ@10V 170W 175°C 3V 100V 68A |
￥10.4108
|
0 | 对比 |
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