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IRFS4610TRLPBF  与  IPB144N12N3GATMA1  区别

型号 IRFS4610TRLPBF IPB144N12N3GATMA1
唯样编号 A-IRFS4610TRLPBF A-IPB144N12N3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 107W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@44A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3220pF @ 60V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 73A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 14.4 毫欧 @ 56A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 190W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 61uA
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 56A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 120V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4610TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
PSMN013-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100BS_SOT404

¥7.3276 

阶梯数 价格
210: ¥7.3276
400: ¥6.2098
800: ¥5.6971
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IPB144N12N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB144N12N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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