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IRFS4510TRLPBF  与  PSMN016-100BS,118  区别

型号 IRFS4510TRLPBF PSMN016-100BS,118
唯样编号 A-IRFS4510TRLPBF A36-PSMN016-100BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 13.9 mO 58 nC SMT HEXFET Power Mosfet - D2PAK MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.9mΩ@37A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 148W
输出电容 - 189pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 61A 57A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 50V -
输入电容 - 2404pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 87nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 16mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 87nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4510TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@37A,10V N-Channel 100V 61A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK9615-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9615-100E_SOT404 N-Channel 182W 175°C 1.7V 100V 66A

暂无价格 400 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN016-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN016-100BS_SOT404 N-Channel 148W 175°C 3V 100V 57A

暂无价格 0 对比
PSMN015-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-100B_SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 75A

暂无价格 0 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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