尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > IRFS4510TRLPBF代替型号比较

IRFS4510TRLPBF  与  IPB123N10N3GATMA1  区别

型号 IRFS4510TRLPBF IPB123N10N3GATMA1
唯样编号 A-IRFS4510TRLPBF A-IPB123N10N3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 13.9 mO 58 nC SMT HEXFET Power Mosfet - D2PAK MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 94W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.9mΩ@37A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 61A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12.3 毫欧 @ 46A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 46uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 87nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 58A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 87nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4510TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@37A,10V N-Channel 100V 61A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
BUK9615-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9615-100E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 1.7V 100V 66A

¥12.29 

阶梯数 价格
10: ¥12.29
100: ¥9.1037
400: ¥7.715
800: ¥7.078
400 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN016-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN016-100BS_SOT404 N-Channel 148W 175℃ 3V 100V 57A

¥6.5622 

阶梯数 价格
210: ¥6.5622
400: ¥5.5612
800: ¥5.102
0 对比
IPB123N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB123N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售