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IRFS4310TRLPBF  与  BUK965R8-100E,118  区别

型号 IRFS4310TRLPBF BUK965R8-100E,118
唯样编号 A-IRFS4310TRLPBF A36-BUK965R8-100E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 349W
输出电容 - 725pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 130A 120A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7670pF @ 50V -
输入电容 - 13100pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@5V,5.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7670pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN7R0-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100BS_TO-263-2 N-Channel 269W -55°C~175°C ±20V 100V 100A

¥16.3049 

阶梯数 价格
1: ¥16.3049
100: ¥12.3522
400: ¥10.1248
800: ¥8.8041
145 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
BUK965R8-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK965R8-100E_SOT404 N-Channel 349W 175℃ 1.7V 100V 120A

暂无价格 0 对比
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 100V 75A

¥14.1332 

阶梯数 价格
200: ¥14.1332
400: ¥11.5846
800: ¥10.0735
0 对比
PSMN7R0-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100BS_TO-263-2 N-Channel 269W -55°C~175°C ±20V 100V 100A

暂无价格 0 对比

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