IRFS4127TRLPBF 与 PSMN057-200B,118 区别
| 型号 | IRFS4127TRLPBF | PSMN057-200B,118 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS4127TRLPBF | A3n-PSMN057-200B,118 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 200 V 22 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK | MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 375W(Tc) | 250W | ||||
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V | ||||
| 输出电容 | - | 385pF | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | D2PAK | SOT404 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 72A | 39A | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5380pF @ 50V | - | ||||
| 输入电容 | - | 3750pF | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 150nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5380pF @ 50V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 22mΩ@44A,10V | 57mΩ@17A,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 150nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS4127TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@44A,10V N-Channel 200V 72A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
AUIRFS4127TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 72A(Tc) ±20V 375W(Tc) 22mΩ@44A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
PSMN057-200B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A |
￥16.7013
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
PSMN057-200B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A |
￥10.4567
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
