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IRFS4127TRLPBF  与  PSMN057-200B,118  区别

型号 IRFS4127TRLPBF PSMN057-200B,118
唯样编号 A-IRFS4127TRLPBF A-PSMN057-200B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 22 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@44A,10V 57mΩ@17A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 250W
输出电容 - 385pF
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 72A 39A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 50V -
输入电容 - 3750pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 18
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥15.4429
100+ :  ¥11.4392
400+ :  ¥9.6942
800+ :  ¥8.8938
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4127TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@44A,10V N-Channel 200V 72A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN057-200B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN057-200B_SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A

¥15.4429 

阶梯数 价格
10: ¥15.4429
100: ¥11.4392
400: ¥9.6942
800: ¥8.8938
18 对比
AUIRFS4127TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 72A(Tc) ±20V 375W(Tc) 22mΩ@44A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 对比

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