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IRFS4115TRLPBF  与  IRFS7730PBF  区别

型号 IRFS4115TRLPBF IRFS7730PBF
唯样编号 A-IRFS4115TRLPBF A-IRFS7730PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Ch 75 V 195 A 2.6 mOhm 271 nC Surface Mount HEXFET Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.1mΩ@62A,10V 2.6mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 150V 75V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 375W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D²PAK(TO-263AB)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 195A 246A
系列 HEXFET® HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5270pF @ 50V 13660pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 407nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5270pF @ 50V 13660pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 407nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4115TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.1mΩ@62A,10V N-Channel 150V 195A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IRFS7730PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.6mΩ@100A,10V N-Channel 75V 246A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRFS7530PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 295A 2.1mΩ 375W

暂无价格 0 对比

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