IRFS4115TRLPBF 与 IRFS7530PBF 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	IRFS4115TRLPBF	IRFS7530PBF
唯样编号	A-IRFS4115TRLPBF	A-IRFS7530PBF
制造商	Infineon Technologies	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述		Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530PBF, 295 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表	IRFS4115TRLPBF.pdf	IRFS7530PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
宽度	-	4.69mm
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.1mΩ@62A,10V	2.1mΩ
引脚数目	-	3
栅极电压Vgs	±20V	-
封装/外壳	D2PAK	-
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	195A	295A
长度	-	10.54mm
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	6V,10V
每片芯片元件数目	-	1 Ohms
正向二极管电压	-	1.2V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA	3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5270pF @ 50V	13703pF @ 25V
高度	-	9.65mm
类别	-	功率 MOSFET
典型关断延迟时间	-	172 ns
漏源极电压Vds	150V	-
晶体管材料	-	Si
Pd-功率耗散(Max)	375W(Tc)	375W
晶体管配置	-	单
FET类型	N-Channel	-
系列	HEXFET®	HEXFET
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5270pF @ 50V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	120nC @ 10V	-
典型接通延迟时间	-	52 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	120nC @ 10V	411nC @ 10V
正向跨导	-	242S
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRFS4115TRLPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.1mΩ@62A,10V N-Channel 150V 195A D2PAK	暂无价格	0	当前型号
IRFS7730PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.6mΩ@100A,10V N-Channel 75V 246A D²PAK(TO-263AB)	暂无价格	0	对比
IRFS7530PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	-55°C~175°C(TJ) 295A 2.1mΩ 375W	暂无价格	0	对比
SUM85N15-19-E3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	85A(Tc) N-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 150V	暂无价格	10	对比
SUM85N15-19-E3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	85A(Tc) N-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 150V	暂无价格	0	对比