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IRFS4010TRLPBF  与  PSMN4R8-100BSEJ  区别

型号 IRFS4010TRLPBF PSMN4R8-100BSEJ
唯样编号 A-IRFS4010TRLPBF A-PSMN4R8-100BSEJ
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 375 W 143 nC Hexfet Power Mosfet - D2PAK MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 375W(Tc) 405W
漏源极电压Vds 100V 100V
输出电容 - 674pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 180A 120A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9575pF @ 50V -
输入电容 - 10665pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 215nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9575pF @ 50V -
导通电阻Rds(On) 4.7mΩ@106A,10V 4.8mΩ@10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 215nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 29
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥51.7973
100+ :  ¥38.3684
400+ :  ¥28.421
800+ :  ¥24.7139
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4010TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@106A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK765R0-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 5mΩ@25A,10V 349W -55°C~175°C ±20V 100V 120A

¥39.1129 

阶梯数 价格
5: ¥39.1129
100: ¥28.9725
400: ¥21.4611
800: ¥18.6618
600 对比
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 4.8mΩ@10V 405W 175°C 3V 100V 120A

¥51.7973 

阶梯数 价格
5: ¥51.7973
100: ¥38.3684
400: ¥28.421
800: ¥24.7139
29 对比
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 3.9mΩ@10V 306W 175°C 3V 100V 120A

暂无价格 0 对比
AOB2904 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 120A 326W 4.4mΩ@10V

暂无价格 0 对比
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 4.8mΩ@10V 405W 175°C 3V 100V 120A

暂无价格 0 对比

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