IRFS38N20DTRLP 与 PSMN057-200B,118 区别
| 型号 | IRFS38N20DTRLP | PSMN057-200B,118 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS38N20DTRLP | A-PSMN057-200B,118 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 91 nC 3.8 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 | MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 54mΩ@26A,10V | 57mΩ@17A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.8W(Ta),300W(Tc) | 250W |
| 输出电容 | - | 385pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | SOT404 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 38A | 39A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2900pF @ 25V | - |
| 输入电容 | - | 3750pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 91nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2900pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 91nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFS38N20DTRLP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFS38N20DTRRP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 43A(Tc) ±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) 54mΩ@26A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PSMN057-200B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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