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IRFS38N20DTRLP  与  IRFS38N20DTRRP  区别

型号 IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRRP
唯样编号 A-IRFS38N20DTRLP A-IRFS38N20DTRRP
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 91 nC 3.8 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 54mΩ@26A,10V 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),300W(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 38A 43A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF 2900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC 91nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS38N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN057-200B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN057-200B_SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A

¥15.4429 

阶梯数 价格
10: ¥15.4429
100: ¥11.4392
400: ¥9.6942
800: ¥8.8938
18 对比
IRFS38N20DTRRP Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 43A(Tc) ±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) 54mΩ@26A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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