首页 > 商品目录 > > > > IRFS3806TRLPBF代替型号比较

IRFS3806TRLPBF  与  RSJ400N06FRATL  区别

型号 IRFS3806TRLPBF RSJ400N06FRATL
唯样编号 A-IRFS3806TRLPBF A3-RSJ400N06FRATL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 15.8 mO 71 W Surface Mount Synchronous HexFet Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.8mΩ@25A,10V 11mΩ
上升时间 - 60ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 52nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
封装/外壳 D2PAK D2PAK-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 43A 40A,40A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 140ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 71W(Tc) 50W
典型关闭延迟时间 - 90ns
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 20ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 125
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3806TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥4.576 

阶梯数 价格
20: ¥4.576
100: ¥3.652
1,000: ¥3.509
1,000 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.777 

阶梯数 价格
7: ¥7.777
100: ¥6.6
990 对比
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 125 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售