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IRFS3806TRLPBF  与  STB60NF06LT4  区别

型号 IRFS3806TRLPBF STB60NF06LT4
唯样编号 A-IRFS3806TRLPBF A-STB60NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 60 V 15.8 mO 71 W Surface Mount Synchronous HexFet Mosfet - D2PAK MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.35 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.8mΩ@25A,10V 14mΩ@30A,10V
正向跨导-最小值 - 20 S
上升时间 - 220 ns
栅极电压Vgs ±20V ±15V
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -65°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 60A
配置 - Single
长度 - 10.4 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
下降时间 - 30 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V -
高度 - 4.6 mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 71W(Tc) 110W(Tc)
典型关闭延迟时间 - 55 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® STB
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V 2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V 66nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 35 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3806TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥4.576 

阶梯数 价格
20: ¥4.576
100: ¥3.652
1,000: ¥3.509
1,000 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.777 

阶梯数 价格
7: ¥7.777
100: ¥6.6
990 对比
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 125 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 0 对比

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