首页 > 商品目录 > > > > IRFS3607TRLPBF代替型号比较

IRFS3607TRLPBF  与  PSMN8R7-80BS,118  区别

型号 IRFS3607TRLPBF PSMN8R7-80BS,118
唯样编号 A-IRFS3607TRLPBF A-PSMN8R7-80BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.25mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.34mΩ -
Qg-栅极电荷 56nC -
栅极电压Vgs 20V 3V
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 80A 90A
配置 Single -
长度 10mm -
输入电容 - 3346pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V -
高度 4.4mm -
漏源极电压Vds 75V 80V
Pd-功率耗散(Max) 140W 170W
输出电容 - 296pF
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 8.7mΩ@10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥8.529
400+ :  ¥6.9909
800+ :  ¥6.0791
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3607TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN008-75B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥9.705 

阶梯数 价格
200: ¥9.705
400: ¥7.9549
800: ¥6.9173
0 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN8R7-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R7-80BS_SOT404 N-Channel 170W 175℃ 3V 80V 90A

¥8.529 

阶梯数 价格
200: ¥8.529
400: ¥6.9909
800: ¥6.0791
0 对比
AOB470L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.2mΩ@30A,10V -55℃~175℃

¥4.7563 

阶梯数 价格
170: ¥4.7563
400: ¥3.7197
800: ¥2.9014
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售