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IRFS3307ZTRRPBF  与  BUK9608-55A,118  区别

型号 IRFS3307ZTRRPBF BUK9608-55A,118
唯样编号 A-IRFS3307ZTRRPBF A-BUK9608-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 75 V 5.8 mO 79 nC SMT HEXFET Power Mosfet - D2PAK MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 75V 55V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 253W
输出电容 - 760pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D²PAK(TO-263) SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 120A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 50V -
输入电容 - 4551pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7.5mΩ@10V,8mΩ@5V,8.5mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥20.2222
400+ :  ¥15.2046
800+ :  ¥12.4628
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3307ZTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A D²PAK(TO-263)

暂无价格 0 当前型号
RJ1L08CGNTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150℃(TJ) 60V

¥13.1184 

阶梯数 价格
20: ¥13.1184
50: ¥8.5763
100: ¥8.0109
300: ¥7.6372
490 对比
BUK9608-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9608-55A_SOT404 N-Channel 253W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥20.2222 

阶梯数 价格
170: ¥20.2222
400: ¥15.2046
800: ¥12.4628
0 对比
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60BS_SOT404 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

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AOB2608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 72A 100W 7.6mΩ@10V

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IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S2L-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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